热点资讯联系我们 英飞凌推出公共最薄硅功率晶圆： 20μm 厚，基板电阻裁减 50%
发布日期：2024-12-03 17:12 点击次数：55
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IT之家 10 月 29 日讯息，英飞凌官方本日文牍，在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了毁坏性阐扬。
这种晶圆直径为 30mm，厚度为 20μm、仅有头发丝的四分之一，是当今开首进的 40-60μm 晶圆厚度的一半。
IT之家获悉，与基于传统硅晶圆的管束决策比拟，晶圆厚度减半可将基板电阻裁减 50%，从而使功率系统中的功率损耗减少 15% 以上。
据官方先容，关于高端 AI 职业器行使来说，电流增大会鼓摆动力需求上涨，物联网软件开发公司推荐因此，将电压从 230V 裁减到 1.8V 以下的处理器电压，关于功率调整来说尤为迫切。
超薄晶圆时代大大促进了基于垂直沟槽 MOSFET 时代的垂直功率传输蓄意。这种蓄意收场了与 AI 芯片处理器的高度细密聚会，在减少功率损耗的同期，种植了全体效果。
英飞凌暗意该时代已得回招供，并被行使于英飞凌的集成智能功率级（直流-直流调整器）中，且已请托给首批客户。
英飞凌展望在明天三到四年内，现存的传统晶圆时代将被用于低压功率调整器的替代时代所取代。
11 月 12-15 日联系我们，英飞凌将在 2024 年慕尼黑外洋电子元器件展览会上公开展示首款超薄硅晶圆。