IT之家 11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭鲁正今日在韩国首尔举行的 SK AI Summit 2024 上介绍了全球首款 16-High HBM3E 内存。该产品可实现 48GB 的单堆栈容量，预计明年初出样。

虽然一般认为 16 层堆叠 HBM 内存直到下一世代 HBM4 才会正式商用，但参考内存领域 IP 企业 Rambus 的文章，HBM3E 也有扩展到 16 层的潜力。

此外IT之家注意到，SK 海力士为今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 学术会议准备的论文中也提到了可实现 1280GB/s 带宽的 48GB 16-High HBM3E DRAM，物联网软件开发价格本次推出的产品很可能就是该论文对应的研发成果。

SK 海力士表示其 16-High HBM3E 的 AI 训练性能较上代 12-High 产品提高了 18%，推理性能更是提升了 32%；这款 HBM 内存仍采用先进 MR-MUF（批量回流模制底部填充）键合技术，SK 海力士也在开发性能更为优秀的混合键合。

在 DRAM 内存领域，SK 海力士表示除 16-High HBM3E 外还正在开发基于 1c nm LPDDR5 和 LPDDR6 的 LPCAMM2，这些内存条同时面向 PC 和数据中心市场。

而在 NAND 闪存领域，该企业还准备了 PCIe 6.0 固态硬盘、基于 QLC 的大容量企业级固态硬盘和下代 UFS 5.0 闪存。